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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
41
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
2831
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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