RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
66
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
66
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
1699
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link