RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
55
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
55
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
2232
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link