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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
41
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2016
3082
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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