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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
14.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3527
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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