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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3202
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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