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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3005
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
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