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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2583
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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