RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3666
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link