RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3659
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link