RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2457
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link