RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
40
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2751
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kllisre 0000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link