RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3060
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link