RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
40
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3421
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link