RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.3
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
18.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
4174
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link