RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
40
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
10.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2462
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link