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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
40
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
15.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3473
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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