RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2690
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link