RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2690
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link