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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
48
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
48
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2398
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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