RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
48
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
48
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2190
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link