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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
40
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2633
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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