RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
40
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3628
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link