RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
40
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2591
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link