RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
42
Por volta de 5% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
42
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3033
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link