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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
40
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.2
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
21.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
18.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3890
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
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