RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
40
Por volta de -48% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
6.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
1890
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link