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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
41
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
3061
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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