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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
81
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
81
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
1824
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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