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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
43
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
3618
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
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