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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
50
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
50
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
2326
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparações de RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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