RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston KC5N22-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
51
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
51
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
2805
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link