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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
64
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
64
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
2052
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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