RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
12.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
3044
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link