RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
13.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
14.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
3385
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link