RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
11.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
3107
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link