RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
46
Por volta de -31% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
10.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2731
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link