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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
11.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
46
Por volta de -84% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
11.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2346
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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