RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
97
Por volta de 53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
97
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
6.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
1479
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link