RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
13.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
46
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
14.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
13.1
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2989
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link