Comparação RAM SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.6 12.0

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

38 46

Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.5 14.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 21300

Por volta de 1.2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2717 2283

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns