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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
12.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
16.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
3739
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
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Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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