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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
29
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
29
Velocidade de leitura, GB/s
20.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
16.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3536
3336
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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