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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
77
Por volta de -157% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
3155
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
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Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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