RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
77
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
3153
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link