RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
77
Por volta de -267% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
21
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
3034
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link