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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
77
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
9.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
2395
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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