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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
77
Por volta de -157% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
3406
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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