RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
15.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3550
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link