RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
37
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
12.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
3166
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link