RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
12.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2438
2740
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link